為適應倒裝芯片窄節距互連的填充需求，產業界提出了一種新型的預成型底部填充技術(Prcassenbly Undetfill)。這種技術既能簡化工藝，又能對窄節距互連（小于100um）進行良好的底部填充。顧名思義，預成型底部填充技術是指厎部填充料在芯片互連之前就被施加在芯片或基板上，在后續的回流或熱壓鍵合過程中，芯片凸點互連與底部填充固化的工藝同時完成。
相關技術及所用的底部填充料主要包括非流動底部填充料 (No-Flow Underfill, NUF)、晶圓級底部填充料 (Wafer Level Underfill, WLUF)、非導電漿料(NCP）和非導電膜 （NCF)。其中 NUF 與NCP/NCF 有所區別，前者所謂的 “No-Flow”過程是將封裝材料及助焊劑等在焊料回流時同時進行焊球的互連過程，而 NCP/NCE 是一種非導電材料（膜），是利用倒裝鍵合的熱壓方式將焊球互連及封裝材料固化同步完成的。
非流動底部填充工藝的提出，必然要求與之相應的底部填充料的發展，對此工藝可知，非流動底部填充料除需要具備毛細管底部填充料的性能外，還需要具備助焊功能，這樣才能形成良好的焊球互連結構。
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